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標題: 晶閘管的結構 [打印本頁]

作者: 悠米科技 時間: 2025-9-26 11:40
標題: 晶閘管的結構
晶閘管是典型四層三端功率半導體，內部由交替的 P1-N1-P2-N2 四層半導體構成，形成三個 PN 結 J1、J2、J3。外層 P1 引出陽極 A，外層 N2 引出陰極 K，內部 P2 經金屬化后單獨引出為門極 G。晶片常采用單晶硅擴散-合金工藝：先在 N 型高阻硅片兩面擴硼得 P1、P2 層，再在陰極面擴磷得 N2 陰極區；為承受高電壓，中間 N1 區保持長、輕摻雜，厚度隨額定電壓增加。電流容量增大時，把許多小單元并聯成“放大門”結構，中心門極區先觸發，橫向電流通過輔助陰極迅速擴展至整個陰極面，實現微秒級均勻導通。硅片燒結在鉬或鎢基板上緩沖熱應力，上下覆銅電極，再封裝在陶瓷-金屬管殼或塑料模塊內，管殼內充氮或硅凝膠防濕。高壓晶閘管還在陰極外圍刻槽或加場環，以均勻電場、提高阻斷電壓。整機應用時，常把晶閘管、二極管、阻容吸收、熱敏電阻封裝成功率模塊，方便并聯、串聯及散熱設計。

作者: 快跑胖虎來了 時間: 2025-11-21 21:39
感謝樓主的干貨分享，讓行業新人能快速get關鍵知識點～

作者: 雪域幽靈 時間: 2025-12-10 23:41
你的分析很透徹，學習了！

作者: 鹵肉飯好吃 時間: 2025-12-12 20:55
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作者: 銘智機械 時間: 2025-12-16 16:16
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作者: 末日來臨 時間: 2025-12-20 09:25
謝謝分享，非常有幫助

作者: 業績翻翻 時間: 2025-12-25 14:17
受教了，實用性超高

作者: 森鴻科技 時間: 2025-12-26 09:15
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作者: 思銳機械 時間: 2025-12-26 20:23
學到了，感謝分享

作者: 精工之星 時間: 2026-1-26 14:52
感謝無私分享，很有收獲

作者: Stomatolog_zkPr 時間: 2026-4-1 05:09
太實用了，果斷收藏

作者: q069410n92 時間: 2026-4-24 04:38
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作者: 順恒儀器 時間: 7 天前
學到了，謝謝樓主的分享

作者: 蓋5432 時間: 5 天前
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